• Наявність
    В наявності
16.00 грн.
IRF840 — це N-канальний MOSFET з потужним виходом, що забезпечує високу швидкість перемикання, низький опір у відкритому стані та прості вимоги до керування. Він широко використовується у промислових та комерційних додатках з потужністю розсіювання до 125 Вт.

Технічна інформація:

Напруга стік-витік (VDS): 500V.
Опір у відкритому стані (RDS(on)): 0.85 Ом при VGS = 10V.
Струм стоку (ID): 8A при температурі корпусу 25°C, 5.1A при 100°C.
Імпульсний струм стоку (IDM): 32A.
Потужність розсіювання (PD): 125W при 25°C.
Напруга затвор-витік (VGS): ±20V.
Загальний заряд затвора (Qg): 63 нКл.
Тепловий опір (RthJC): 1.0°C/Вт.
Призначення:
Застосовується у схемах комутації живлення, підсилювачах, інверторах, а також у високовольтних та потужних промислових додатках завдяки своїм характеристикам швидкого перемикання і низькому опору в стані проводимості.

IRF840, N-канальний MOSFET, потужний MOSFET, високовольтний транзистор, комутація живлення, швидкодіючий MOSFET.

IRF840 MOSFET, N-канальний потужний транзистор, високовольтний MOSFET, швидкодіючий транзистор, промисловий MOSFET.

Інші назви товару: IRF840 транзистор, N-канальный MOSFET IRF840, MOSFET IRF840 TO-220, IRF840 MOSFET, N-channel MOSFET 500V.

Відгуків: 0

Відгуків про цей товар ще не було.