Транзистор IRF840 N-канальный 500В 8.0А TO-220AB

IRF840 — это N-канальный MOSFET с мощным выходом, обеспечивающий высокую скорость переключения, низкое сопротивление в открытом состоянии и простые требования к управлению. Он широко используется в промышленных и коммерческих приложениях с мощностью рассеивания до 125 W.

Техническая информация:

Напряжение сток-исток (VDS): 500V.

Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 0.85 Ом при VGS = 10V.

Ток стока (ID): 8A при температуре корпуса 25°C, 5.1A при 100°C.

Импульсный ток стока (IDM): 32A.

Мощность рассеивания (PD): 125W при 25°C.

Напряжение затвор-исток (VGS): ±20V.

Общий заряд затвора (Qg): 63 нКл.

Тепловое сопротивление (RthJC): 1.0°C/Вт.

Назначение:

Применяется в схемах коммутации питания, усилителях, инверторах, а также в высоковольтных и мощных промышленных приложениях благодаря характеристикам быстрого переключения и низкому сопротивлению в проводящем состоянии.

IRF840, N-канальный MOSFET, мощный MOSFET, высоковольтный транзистор, коммутация питания, быстродействующий MOSFET.

IRF840 MOSFET, N-канальный мощный транзистор, высоковольтный MOSFET, быстродействующий транзистор, промышленный MOSFET.