- НаличиеВ наличии
22.00 грн.
IRF3205 — это легендарный и чрезвычайно популярный мощный полевой транзистор (MOSFET) с N-каналом, изготовленный по передовой технологии HEXFET. Благодаря этой технологии удалось добиться экстремально низкого сопротивления открытого канала (Rds(on) составляет всего 8 мОм). Это означает, что при коммутации больших токов транзистор выделяет минимум тепла и работает максимально эффективно.
Компонент способен выдерживать напряжение до 55 Вольт и пропускать через себя ток кристалла до 110 Ампер (в импульсном режиме — ещё больше). Транзистор выполнен в стандартном корпусе TO-220 для сквозного монтажа, который имеет удобный металлический фланец с отверстием для надёжного крепления к радиатору охлаждения. IRF3205 является хитом при конструировании мощных преобразователей напряжения, работая в ключевом режиме.
Основные технические характеристики:
Тип транзистора: MOSFET, N-канал (обогащённого типа).
Модель: IRF3205.
Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 55 В.
Максимальный ток стока (Id): 110 А (ток кристалла).
Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.008 Ом (8 мОм).
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В.
Мощность рассеяния (Pd): до 200 Вт (при условии идеального отвода тепла).
Тип корпуса: TO-220.
Где чаще всего используется:
Автомобильные инверторы напряжения (преобразователи 12В-220В) и ИБП (UPS).
ШИМ-регуляторы скорости мощных коллекторных моторов (например, вентиляторов охлаждения в авто).
Системы защиты и управления аккумуляторными батареями (BMS).
Импульсные блоки питания и электрические сварочные аппараты (в вспомогательных цепях).
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.
