35.00 грн.

Наименование прибора: IRF530N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

- Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

- предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

- Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

- предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

- предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

- Пороговое напряжение включения: 4 V

- Максимальная температура канала: 175 °C

- Общий заряд затвора: 37(max) nC

- Время нарастания: 22 ns

- Выходная емкость: 130 pf

- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Отзывов: 0

Средняя оценка: 0.0

Ваше имя

Ваш отзыв

Рейтинг

Я прочитал(а) и согласен(на) с условиями Пользовательское соглашение

Нет отзывов об этом товаре.

Полевой транзистор IRF530N