- НаличиеВ наличии
65.00 грн.
Общие параметры:
Производители / Бренд: XINER
Технологическая база: Trench Field Stop IGBT Technology
Конфигурация кристалла: Одинарный N-канальный IGBT с встроенным быстрым антипараллельным диодом обратного тока
Исполнение корпуса: TO-247
Электрические параметры (Гранично-допустимые значения):
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер Vges: ±20 В
Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А
Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А
Рабочая температура кристалла Tj: от -40 до +175 °C
Статические и динамические характеристики транзистора:
Типичное напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vcesat: 1.8 В
Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В
Полный заряд затвора Qg: 115 нКл
Входная емкость Ciss: 2100 пФ
Характеристика переключения: Оптимизированная скоростная серия с низкими потерями на переключение и высокой стойкостью к жёстким режимам коммутации
Параметры встроенного защитного диода:
Максимальный прямой постоянный ток диода If при 100°C: 40А
Тип диода: Встроенный быстрый защитный антипараллельный диод
Тепловые параметры и эксплуатация:
Рабочий температурный диапазон перехода: от -40 °C до +175 °C
Эффективность охлаждения: Корпус обеспечивает надёжный отвод тепла при непосредственном монтаже на силовой радиатор.
Область применения и использование:
Основное назначение: Быстродействующий силовой коммутационный ключ средней мощности для инверторных и преобразовательных топологий.
Совместимые устройства: Сварочные инверторы, солнечные и фотоэлектрические преобразователи, источники бесперебойного питания, бытовая техника с частотным регулированием.
Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ контроллеры электроприводов.
Отзывов: 0
Нет отзывов об этом товаре.