• Наявність
    В наявності
22.00 грн.
IRF3205 — це легендарний і неймовірно популярний потужний польовий транзистор (MOSFET) з N-каналом, виготовлений за передовою технологією HEXFET. Завдяки цій технології вдалося досягти екстремально низького опору відкритого каналу (Rds(on) становить усього 8 міліОм). Це означає, що при комутації великих струмів транзистор виділяє мінімум тепла і працює максимально ефективно.

Компонент здатний витримувати напругу до 55 Вольт та пропускати через себе струм кристала до 110 Ампер (у імпульсному режимі — ще більше). Транзистор виконаний у стандартному корпусі TO-220 для наскрізного монтажу, який має зручний металевий фланець з отвором для надійного кріплення до радіатора охолодження. IRF3205 є абсолютним хітом при конструюванні потужних перетворювачів напруги, працюючи у ключовому режимі.

Основні технічні характеристики:

Тип транзистора: MOSFET, N-канал (збагаченого типу).

Модель: IRF3205.

Максимальна напруга стік-витік (Vdss): 55 В.

Максимальний струм стоку (Id): 110 А (струм кристала).

Опір відкритого каналу (Rds(on)): 0.008 Ом (8 мОм).

Максимальна напруга затвор-витік (Vgs): ±20 В.

Потужність розсіювання (Pd): до 200 Вт (за умови ідеального тепловідведення).

Тип корпусу: TO-220.

Де найчастіше використовується:

Автомобільні інвертори напруги (перетворювачі 12В-220В) та ДБЖ (UPS).

ШІМ-регулятори швидкості потужних колекторних моторів (наприклад, вентиляторів охолодження в авто).

Системи захисту та керування акумуляторними батареями (BMS).

Імпульсні блоки живлення та електронні зварювальні апарати (у допоміжних ланцюгах).

Інші назви товару: IRF3205, MOSFET IRF3205, транзистор IRF3205, IRF3205 MOSFET, N-channel MOSFET 55V.

Відгуків: 0

Відгуків про цей товар ще не було.