- НаявністьВ наявності
14.00 грн.
Технічні характеристики MOSFET-транзистора HY3208P
Загальні параметри:
Бренд: Hooyi Semiconductor / Huayi Microelectronics
Технологічна база Power MOSFET Technology
Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET
Виконання корпусу: TO-220
Електричні параметри Гранично допустимі значення:
Максимальна напруга стик-вилка Vdss: 80 В
Максимальна напруга затвора-вилка Vgs: ±20 В
Постійний струм стоку Id за температури фланця 25°C кремнієве обмеження: 140 А
Постійний струм стоку Id за температури фланця 100°C: 90А
Піковий імпульсний струм стоку Idm: 480А
Максимальна потужність Ptot, що розсіюється, при 25°C: 230 Вт
Статичні та динамічні характеристики транзистора:
Типовий опір відкритого каналу стекатик Rdson: 6.5 мОм при напрузі 10В затвора і струми 70А
Максимальний опір відкритого каналу стекат-витік Rdson max: 8.0 мОм
Порогова напруга увімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В
Повний заряд затвора Qg: ~113 нКл при напрузі затвора 10 В
Вхідна ємність Ciss: ~5125 пФ
Час затримки включення tdon: ~19 нс
Час затримки відключення tdoff: ~70 нс
Параметри вбудованого захисного діода:
Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 при прямому струмі 75А
Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В
Час зворотного відновлення trr: ~58 нс
Максимальний прямий струм діода If: 140 А
Теплові параметри та експлуатація:
Робоча температура кристалу Tj: від -55 ° C до +175 ° C
Тепловий опір перехід-корпус для MOSFET Rthjc: 0.65 ° C / Вт
Інші назви товару: TIP42C транзистор PNP, транзистор TIP42C TO-220, PNP 100В 6А TIP42C, TIP42C PNP transistor, TIP42C TO-220.
Відгуків: 0
Відгуків про цей товар ще не було.